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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析,一文get√
- 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路(HVIC)是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計。《高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)
- 9 月 3 日消息,“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文,報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時 4 年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu),目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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國家隊加持,芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破
- 據(jù)南京發(fā)布近日消息,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時4年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,元胞一致性較好、雪崩能量比較高;缺點是當電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型
- 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上,賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會;武漢市社會體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介,向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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PCIM2024論文摘要|離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢
- 梗概隨著全球低碳化的進程,可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高,此種背景下,儲能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性,PCS作為儲能系統(tǒng)的核心裝置應(yīng)用廣泛。在工商業(yè)應(yīng)用里,存在單相負載與三相不平衡負載,為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制,三相四線變流器拓撲是非常必要的,常見的拓撲形式有以下幾種:a)三橋臂分裂電容式拓撲b) 平衡橋臂拓撲圖一分裂電容式拓撲,由于N線電流流過母線電容,電容容量需求增大,且直流電壓利用率較低,諧波畸變較大,抑制三相不平衡能力相對有限,平衡橋臂式拓撲通過硬件電路增強中
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計靈活性
- Nexperia近日宣布,公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化,可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET,非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應(yīng)用!
- ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101,有助于車載應(yīng)用的高效運行和小型化~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售,未來會繼續(xù)擴大產(chǎn)品陣容。在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
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很基礎(chǔ)的MOS管知識
- 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
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實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案
- 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元,預(yù)計2029年將達到498.6億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預(yù)計在2027年便攜儲能市場將達到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求,現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
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還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)
- JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
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貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ,助力汽車控制器應(yīng)用
- OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示,英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術(shù),是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用,大幅提高了產(chǎn)品的電流能
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用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中,我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中,我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型,并將其納入LTspice仿真中。然后,我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中,我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流(ID)與漏極-源極電壓(VDS)的基本圖開始。為此,我們將柵極電壓設(shè)置為遠高于閾值電壓的固定值,然后執(zhí)行直流掃描模擬,其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,適用于高成本效益的先進電源應(yīng)用
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管,適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置(SMPS)、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 電源應(yīng)用
瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證
- 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對si mosfet的理解,并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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